Samsung wird bereits ab 2028 High-NA-EUV-Lithografie für die Herstellung von DRAM-Chips nutzen. Auch hier stehen größere Fotomasken im Fokus, wenngleich diese für die ersten kleinen Chips noch nicht zwingend notwendig sind. Das könnte sich aber ändern, wenn Samsung Foundry künftig externe Kunden gewinnen möchte.

Bisher galt SK Hynix als führend beim Einsatz von EUV-Systemen in der Herstellung von DRAM-Chips. Auch das Unternehmen hat bereits bestätigt, High-NA-Systeme der neuesten Generation zu nutzen, um so die Fertigung vorzubereiten. Samsung wiederum geht nun in die Offensive und erklärt, dass das Unternehmen in seiner Fabrik ab 2028 damit beginnen will – zuletzt hieß es noch, ab dem Jahr 2029 wolle das Unternehmen damit starten. Traditionell ist binnen Tagen eine Antwort vom großen Konkurrenten SK Hynix zu erwarten, die einen ganz ähnlichen Termin „oder besser“ verspricht.

Samsung wiederum tritt auch der Initiative von ASML mit TSMC, Intel und anderen Partnern aus dem Ökosystem bei, die größere Fotomasken anstreben. Die jahrzehntelang genutzten 6-Zoll-Masken sollen durch neue 12-Zoll-Designs ergänzt werden.

Samsung will join the industry initiative to advance next-generation 12-inch photomask technology for future manufacturing. The semiconductor industry has relied on the 6-inch photomask format for decades. With High NA EUV, the transition to larger, 12-inch masks is expected to further increase fab productivity, lower chipmaking costs and remove stitching constraints. It will enable advanced chip manufacturers to fully leverage the advantages of High NA EUV, making future generations of leading-edge chips more cost-effective.

Wie bereits in der Ankündigung zu Intels Einsatz von High-NA-EUV-Systemen und TSMCs Bestätigung von High-NA und neuen Fotomasken berichtet, ist der Anspruch vor allem, die Wirtschaftlichkeit der Maschinen zu steigern. Da diese baubedingt mit 6-Zoll-Masken nur noch Chips mit einer halb so großen Fläche wie bisher belichten können – also maximal 429 mm² statt 858 mm² – sollen größere Masken und passende Systeme den alten Wert wiederherstellen. Dies ist, wie eingangs bereits erwähnt, für kleine DRAM-Chips und auch Smartphone-SoCs erst einmal nicht relevant, als Auftragshersteller kommen in Zukunft eventuell jedoch Kunden, die die Fertigung von Chips mit einer Fläche von 500, 600, 700 oder auch fast 800 mm² monolithisch wünschen. Deshalb haben alle drei Firmen das gleiche Ziel, diese Größen auch anbieten zu können.

Bis die größeren Fotomasken aber einsatzbereit sind, werden noch viele Jahre vergehen. TSMC und ASML erklärten in der parallelen Ankündigung heute, dass ab 2031 eine Pilotproduktion erfolgen soll und diese Teile ab 2033 in die Serienproduktion integriert werden. Dies sind entsprechend auch die wichtigen Termine für alle Zulieferer, Materialhersteller und sonstige Beteiligte am großen Ökosystem der Chipfertigungsbranche.